point_of_salebei Abholungvoraussichtlich in 1-2 Werktagen abholbereitlocal_shippingbei Versandvoraussichtlich in 3-4 Werktagen bei Ihnennach Österreich€ 5,70inkl. 20% MwSt.nach Deutschland€ 9,90inkl. 19% MwSt. Stk. bereits im Warenkorb990 PRO, 4TB SSD, M.2 2280, NVMe, PCIe 4.0, 7450MB/s Lesen, 6900MB/s Schreiben, 1400000 IOPS Lesen, 1550000 IOPS Schreiben, verschlüsseltarrow_drop_down
Beschreibung
Verbesserte Haltbarkeit Ausgestattet mit dem Dynamic Thermal Guard-Schutz sorgt die Samsung 990 PRO für eine optimale Leistung, indem sie Überhitzung verhindert, sowie für eine robuste Stoß- und Vibrationstoleranz, die Ihre Daten bei unerwarteten Erschütterungen schützt.
Hochgeschwindigkeitsleistung Mit einer beeindruckenden internen Datenrate von bis zu 7450 MB/s beim Lesen und 6900 MB/s beim Schreiben nutzt dieses Solid State-Laufwerk die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle für eine schnelle Datenübertragung und ist damit ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking.
Erweiterte Sicherheit Mit 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption bietet die Samsung 990 PRO eine sichere Speicherlösung, die sensible Daten vor unbefugtem Zugriff schützt.
Effizienter Betrieb Funktionen wie die Unterstützung des Geräte-Ruhezustands und ein Modus mit geringem Stromverbrauch sorgen dafür, dass das Laufwerk effizient arbeitet und so die Energiekosten senkt, während die hohe Leistung erhalten bleibt.
Große Kapazität und Zuverlässigkeit Eine großzügige Kapazität von 4 TB, unterstützt durch eine MTBF-Einstufung von 1.500.000 Stunden, gepaart mit S.M.A.R.T.-Konformität, bietet reichlich Speicherplatz für umfangreiche digitale Bibliotheken mit zuverlässiger Langlebigkeit.
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Hauptmerkmale
ProduktbeschreibungSamsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)TypSolid State Drive - internKapazität4 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)FormfaktorM.2 2280SchnittstellePCIe 4.0 x4 (NVMe)MerkmaleSamsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)22 mm x 80 mm x 2.3 mmGewicht9 garrow_right
